特許
J-GLOBAL ID：200903068248783701
発光装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149752
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356230
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】外部への光取り出し効率を向上できる発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】発光装置は、発光ダイオード素子Aと、発光ダイオード素子Aが実装されたベース基板Bとを備えている。発光ダイオード素子Aは、発光層4と、発光層4の厚み方向の一方側に設けられ発光層4よりもバンドギャップが大きなn形半導体層3と、発光層4の厚み方向の他方側に設けられ発光層4よりもバンドギャップの大きなp形半導体層5とからなるダブルへテロ構造を有しており、n形半導体層3における発光層4とは反対側の表面を外部への光取り出し面としている。n形半導体層3の光取り出し面にはグレーティング3aを設けてある。また、発光ダイオード素子Aとベース基板Bとの間の隙間には樹脂からなる封止部14を設けてある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体材料からなる発光層、発光層の厚み方向の一方側に設けられ発光層よりもバンドギャップが大きなn形半導体層、発光層の厚み方向の他方側に設けられ発光層よりもバンドギャップの大きなp形半導体層、p形半導体層における発光層とは反対側の表面側に設けられp形半導体層に電気的に接続されたp電極、n形半導体層における発光層と同じ側の表面に設けられn形半導体層に電気的に接続されたn電極を備えた発光ダイオード素子と、発光ダイオード素子のp電極およびn電極それぞれがバンプを介して電気的に接続される導体部が発光ダイオード素子との対向面に設けられたベース基板とを備え、発光ダイオード素子のn形半導体層における発光層とは反対側の表面を光取り出し面としてなることを特徴とする発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041AA41
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA43
, 5F041DB09
