特許

J-GLOBAL ID：200903068254627479

有機トランジスタ

発明者： 矢内 宏幸 ,  八瀬 清志 ,  吉田 郵司 ,  近松 真之 ,  永松 秀一
出願人/特許権者： 東洋インキ製造株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-116146
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295004
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】 無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供すること。【解決手段】 ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機半導体層を有するトランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式[1]で表される化合物を含有することを特徴とする有機トランジスタ。(式中AとBは、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の複素環基、または置換もしくは未置換のアリール基を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機半導体層を有するトランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式[1]で表される化合物を含有することを特徴とする有機トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 51/05 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/28 ,  H01L29/78 618B

Fターム (46件)：

5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所
• 有機無機混成半導体を用いた薄膜電界効果トランジスタ構造およびその製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-332113   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

審査官引用 (2件)

• 有機半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-209065   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-234392