特許

J-GLOBAL ID：200903080623586196

有機無機混成半導体を用いた薄膜電界効果トランジスタ構造およびその製作方法

発明者： クリストス・ディミトリス・ディミトラコポロス ,  チェリー・リニー・カガン ,  デビッド・ブライアン・ミチ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332113
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198539
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 最新技術の有機無機混成TFTデバイスよりも低い動作電圧で、高い電界効果移動度、高い電流変調を示す、有機無機混成半導体材料に基づいた薄膜トランジスタ(TFT)・デバイス構造を提供すること。【解決手段】 この構造は、基板上に、高誘電率絶縁体で覆われた導電性ゲート電極の組、有機無機混成半導体の層、ゲート線の各々に対応する電気伝導性ソース電極と電気伝導性ドレイン電極の組、およびこのデバイス構造の上を覆いこれを保護することができる随意選択のパッシベーション層を含む。高誘電率ゲート絶縁体を使用することで、有機無機混成半導体のゲート電圧依存性を活用して、非常に低い動作電圧で、電界効果移動度の高いレベルを実現する。

請求項（抜粋）：

電気伝導性ゲート電極が配置されている基板と、前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体の層と、ゲート絶縁体の前記層の上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ゲート絶縁体および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に配置された有機無機混成半導体の層とを備えるトランジスタ・デバイス構造。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00

FI (12件)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/28

Fターム (70件)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104GG09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-050047   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-064964   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-192841   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-001237   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-076201   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション