特許
J-GLOBAL ID:200903068311916431

半導体集積回路装置のデータ記録方式

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-064454
公開番号(公開出願番号):特開2007-242163
出願日: 2006年03月09日
公開日(公表日): 2007年09月20日
要約:
【課題】 大規模な記録容量とともに、高速なデータ書き込み、並びにデータ読み出しを実現する不揮発性半導体メモリを有した半導体集積回路装置のデータ記録方式を提供する。【解決手段】 二値領域55と多値領域57とを含むメモリ領域51を備え、ホスト機器が送信したデータ(DATA1〜DATA3)を、二値領域55に二値データで記録し、二値領域55に記録したデータ(DATA1〜DATA3)を、ホスト機器からのアクセスが無いときに多値領域57に多値データでコピーする。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
二値領域と多値領域とを含むメモリ領域を備え、このメモリ領域とホスト機器との間でデータをやりとりする半導体集積回路装置のデータ記録方式であって、 前記ホスト機器が送信したデータを、前記二値領域に二値データで記録し、 前記二値領域に記録したデータを、前記ホスト機器からのアクセスが無いときに前記多値領域に多値データでコピーすることを特徴とする半導体集積回路装置のデータ記録方式。
IPC (7件):
G11C 16/02 ,  G06F 12/06 ,  G11C 16/04 ,  G06F 12/00 ,  G06F 12/08 ,  G06K 19/07 ,  G06F 3/08
FI (10件):
G11C17/00 641 ,  G06F12/06 522A ,  G11C17/00 601T ,  G11C17/00 622E ,  G06F12/00 560B ,  G06F12/00 597U ,  G06F12/08 501C ,  G06F12/08 551B ,  G06K19/00 N ,  G06F3/08 H
Fターム (21件):
5B005MM01 ,  5B005NN12 ,  5B035AA01 ,  5B035AA02 ,  5B035BB09 ,  5B035CA11 ,  5B035CA29 ,  5B060CA18 ,  5B060CB01 ,  5B065BA05 ,  5B065CC03 ,  5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA08 ,  5B125EA05 ,  5B125EF02 ,  5B125EK01 ,  5B125EK02 ,  5B125EK04 ,  5B125FA01 ,  5B125FA10
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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