特許
J-GLOBAL ID:200903068337066428
複合配線基板およびその製造方法、それに用いる配線基板、並びに半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-250746
公開番号(公開出願番号):特開2001-077499
出願日: 1999年09月03日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 集積度が極めて高い半導体素子の搭載に対応できる信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】 リジッドな絶縁層2の両面に配線層3、4を備えてなる第1の配線基板1と、リジッドな絶縁層7の両面に導体めっき配線層8、9を備えてなる第2の配線基板6とを、絶縁層11を介して積層一体化する。対向する第1の配線基板1の配線層4と第2の配線基板6の配線層8とは、絶縁層11を貫通するように配設された導電性バンプ12により層間接続させる。
請求項(抜粋):
リジッドな絶縁層の両面に配線層を備えてなる第1の配線基板と、リジッドな絶縁層の両面に導体めっき配線層を備えてなる第2の配線基板と、前記第1および第2の配線基板に挟持され、対向する前記第1の配線基板の配線層と前記第2の配線基板の配線層とを電気的に接続する層間接続部を備えてなる絶縁層とを具備することを特徴とする複合配線基板。
IPC (4件):
H05K 1/11
, H01L 23/12
, H05K 3/40
, H05K 3/46
FI (4件):
H05K 1/11 Z
, H05K 3/40 Z
, H05K 3/46 B
, H01L 23/12 N
Fターム (60件):
5E317AA24
, 5E317BB01
, 5E317BB02
, 5E317BB03
, 5E317BB12
, 5E317BB13
, 5E317BB14
, 5E317BB15
, 5E317BB16
, 5E317BB17
, 5E317BB18
, 5E317BB24
, 5E317BB25
, 5E317CC22
, 5E317CC25
, 5E317CC31
, 5E317CD11
, 5E317CD15
, 5E317CD18
, 5E317CD21
, 5E317CD25
, 5E317CD32
, 5E317CD34
, 5E317GG03
, 5E317GG14
, 5E346AA02
, 5E346AA06
, 5E346AA12
, 5E346AA43
, 5E346CC02
, 5E346CC03
, 5E346CC04
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC13
, 5E346CC21
, 5E346CC31
, 5E346CC32
, 5E346CC35
, 5E346CC36
, 5E346CC37
, 5E346CC38
, 5E346CC39
, 5E346CC40
, 5E346DD22
, 5E346DD32
, 5E346DD34
, 5E346EE31
, 5E346FF01
, 5E346FF18
, 5E346FF22
, 5E346GG02
, 5E346GG06
, 5E346GG09
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG19
, 5E346GG28
, 5E346HH25
, 5E346HH26
引用特許:
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