特許
J-GLOBAL ID：200903052175362733
複合配線基板、フレキシブル基板、半導体装置、および複合配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345626
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054927
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 集積度が極めて高い半導体素子の搭載に対応でき、小型、薄型でかつ信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】 リジッドな第1の絶縁層21の第1の面に配設された配線層11のビアランド11aと、フレキシブルな第2の絶縁層22の第2の面に配設された配線層14のビアランド14aとを、第1の絶縁層21と第2の絶縁層22との間に挟持された第3の絶縁層23と、ビアランド11aとビアランド14aとを接続するように第3の絶縁層23を貫通して配設された導電性ピラーにより電気的および機械的に接続する。
請求項（抜粋）：
第1の面と第2の面とを有する第1の基板と、第1の面と第2の面とを有する第2の基板と、前記第1の基板の前記第1の面と前記第2の基板の前記第2の面とに挟持された絶縁性樹脂層と、前記第1の基板の前記第1の面に前記絶縁性樹脂層側に突出して配設された第1のビアランドを有する第1の配線層と、前記第2の基板の前記第2の面に前記絶縁性樹脂層側に突出して配設された第2のビアランドを有する第2の配線層と、前記絶縁性樹脂層を貫通して前記第1のビアランドと前記第2のビアランドとを接続するように配設された導電性ピラーとを具備したことを特徴とする複合配線基板。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H05K 3/46 L
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 T
, H01L 23/12 N
