特許
J-GLOBAL ID：200903068371107249

無線周波数の集積回路

発明者：
ウォン,ティン-ワー

ウォン,ティン-ワー について


出願人/特許権者：
プログラマブル・シリコン・ソリューションズ

プログラマブル・シリコン・ソリューションズ について


代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161627
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057218
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 無線周波数のディバイスを、全て、CMOS製造プロセスを用いて同じ集積回路のダイの中に形成する。【解決手段】 RF回路が、2つの逆バイアスされた接合部(66b,66c)を作る三重井戸(42,44,46)上に形成される。これらの接合部(66b,66c)に加わるバイアスを調整することによって、接合部にかかる容量(67)を減少させて、RF回路から基板(42)への容量性結合を減らし、インダクタ(62)の自己共振周波数を向上させ、また下側の基板(42)から能動回路素子及びコンデンサやインダクタなどの受動素子への不要な信号及びノイズの結合を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
基板と前記基板内に形成された第1及び第2の三重井戸と、前記第1及び第2の三重井戸上に形成された螺旋状の誘導性素子と、前記基板内の前記第2の三重井戸上形成されたトランジスタと、を備えることを特徴とする回路。
IPC (2件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3件)：
H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 U
Fターム (10件)：
5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH01 ,  5F038BH19 ,  5F038BH20 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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