特許
J-GLOBAL ID:200903068390500261
有機ELパネル用電極の欠陥修正方法および欠陥修正装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金山 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-074474
公開番号(公開出願番号):特開2004-281328
出願日: 2003年03月18日
公開日(公表日): 2004年10月07日
要約:
【課題】有機ELパネル用の電極のショート欠陥部を、YAGレーザを照射して除去することにより修正する、有機EL用パネルの電極欠陥修正方法で、欠陥部の下層に、レーザ照射によるダメージを与えることなく、修正できる方法を提供する。同時に、そのような方法を実施できる装置を提供する。【解決手段】電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのYAGレーザを照射する工程途中において、深さ計測用ヘッドにより、欠陥部のYAGレーザを照射して除去した深さを計測する工程を少なくとも1回以上行うもので、計測された深さと、予め把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のYAGレーザの照射を調整するものである。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
有機ELパネル用の電極のショート欠陥部を、YAGレーザを照射して除去することにより修正する、有機ELパネル用の電極の欠陥修正方法であって、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのYAGレーザを照射する工程途中において、欠陥部のYAGレーザを照射して除去した深さを計測する工程を少なくとも1回以上行うもので、計測された深さと、予め把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のYAGレーザの照射を調整するものであることを特徴とする有機ELパネル用電極の欠陥修正方法。
IPC (5件):
H05B33/10
, G09F9/00
, G09F9/30
, H05B33/14
, H05B33/26
FI (5件):
H05B33/10
, G09F9/00 352
, G09F9/30 365Z
, H05B33/14 A
, H05B33/26 Z
Fターム (22件):
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 5C094AA41
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094BA01
, 5C094BA29
, 5C094CA19
, 5C094GB10
, 5C094HA05
, 5C094HA10
, 5G435AA17
, 5G435AA19
, 5G435BB05
, 5G435CC09
, 5G435EE12
, 5G435HH12
, 5G435KK05
, 5G435KK10
, 5G435LL07
, 5G435LL17
引用特許:
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