特許
J-GLOBAL ID：200903068396563826

保護被膜、半導体ウェーハの処理装置、及び薄フィルムダイヤモンド被膜の生成方法

発明者：
ヘンリー ウィンディッシュマン

ヘンリー ウィンディッシュマン について


出願人/特許権者：
サンーゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド

サンーゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000164
公開番号（公開出願番号）：特開2001-247965
出願日： 2001年01月04日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】 従来の厚いフィルムのダイヤモンド被膜と同様な腐食抵抗を有する薄いフィルムのダイヤモンド被膜を提供する。【解決手段】 薄いフィルムのダイヤモンド被膜は比較的低いメタン濃度で比較的ゆっくりと形成されラマン分光写真特性によって確認される。好ましくは5から40ミクロンの厚さの薄いフィルムのダイヤモンドは他の薄いフィルムのダイヤモンド被膜よりも腐食性の環境で実質的に大きい腐食及び浸食抵抗をもたらす。この薄いフィルムのダイヤモンド被膜はその純度と品質により増大した化学抵抗が得られるものと考えられる。
請求項（抜粋）：
腐食環境の物品の表面に用いる保護被膜であって、1000W/mKより大きい熱伝導性と10cm-1より小さいRaman Full Width at Half Maximumとを有し、また150ミクロン以下の厚さを有している、化学蒸着によって形成された多結晶ダイヤモンドフィルム材料からなる、保護被膜。
IPC (4件)：
C23C 16/27 ,  B32B 9/00 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
C23C 16/27 ,  B32B 9/00 A ,  C30B 29/04 X ,  H01L 21/31 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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