特許
J-GLOBAL ID：200903068412892428

光半導体素子

発明者：
鈴木 貴人

鈴木 貴人 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311590
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146693
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】フォトカレントによる発熱を効率的に放熱し,より強い光を入力可能にするとともに,パッド電極全体の容量の増加を防ぎ周波数特性の良好な光半導体素子を得る。【解決手段】下側クラッド層の主表面に順次積層された,活性層4,上側クラッド層からなる半導体レーザ11と,順次積層された光吸収層6,上側クラッド層からなる電解吸収型光変調器12と,順次積層された導波路層5,上側クラッド層からなる分離領域13とを備え,分離領域13は,半導体レーザ11と光変調器12に挟まれており,上側クラッド層は,半導体レーザ11から分離領域13を介して光変調器12まで延在しており,半導体レーザ11,光変調器12,分離領域13は,それぞれ互いに略平行な側面を有し,上側クラッド層は,分離領域13において,分離領域13の側面に達していることを特徴とする光半導体素子が提供される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下側クラッド層の主表面に順次積層された,活性層,上側クラッド層からなる半導体レーザと, 前記下側クラッド層の主表面に順次積層された,光吸収層,前記上側クラッド層からなる電解吸収型光変調器と, 前記下側クラッド層の主表面に順次積層された,導波路層,前記上側クラッド層からなる分離領域とを備え, 前記分離領域は,前記半導体レーザと前記光変調器に挟まれており, 前記上側クラッド層は,前記半導体レーザから前記分離領域を介して前記光変調器まで延在している光半導体素子であり, 前記半導体レーザ,前記光変調器,前記分離領域は,それぞれ互いに略平行な側面を有し, 前記上側クラッド層は,前記分離領域において,前記分離領域の前記側面に達していることを特徴とする光半導体素子。
IPC (4件)：
H01S5/50 ,  G02F1/015 ,  G02F1/025 ,  H01S5/026
FI (5件)：
H01S5/50 630 ,  G02F1/015 505 ,  G02F1/025 ,  H01S5/026 616 ,  H01S5/026 618
Fターム (15件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  5F073AA77 ,  5F073AB12 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073EA13 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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