特許
J-GLOBAL ID：200903099962190024
集積型光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275763
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121787
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 pn接合をもつ埋込層が、第1の光素子においては、高いキャリア濃度を有し、第2の光素子においては、低いキャリア濃度を有するようにすることができると共に、この埋込層を共通の結晶成長工程により形成することができる集積型光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 集積型光素子の埋め込み層と接合する部分に、予めキャリア濃度の高い層と低い層とを共通に形成しておく。そして、埋め込み層の形成工程に先だって、変調部において不要な層を除去する。このようにすることにより、簡易な工程で、レーザ部と変調部の構造をそれぞれ最適化することができる。
請求項（抜粋）：
同一の基板上に形成された第1の光素子と第2の光素子とを少なくとも備えた集積型光素子であって、前記第1の光素子と前記第2の光素子のそれぞれは、導波路と、前記導波路を埋め込むように形成されている埋め込み半導体領域と、前記導波路の周囲の前記埋め込み半導体領域の中に形成されたpn接合と、を有し、前記第1の光素子の前記pn接合を構成している半導体のいずれかは、5×1017cm-3以上のキャリア濃度を有し、前記第2の光素子の前記pn接合を構成している半導体のいずれかは、5×1016cm-3以下のキャリア濃度を有することを特徴とする集積型光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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