薄膜キャパシタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：五十嵐省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122636
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008253
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【課題】耐シリコン拡散導電層及び耐酸化性導電層を下部電極とする薄膜キャパシタにおいて、耐シリコン拡散導電層が高誘電率層を形成する際に酸化されて接触抵抗が低下し、容量密度が低下していた。これを防止するために、下部電極側面全体に大きな側壁絶縁スペーサを設けていたが、集積度が低下していた。【解決手段】シリコン基板1上にコンタクトホールCONTを有する絶縁層2を設ける。耐シリコン拡散導電層4、耐酸化性導電層5よりなる下部電極層を設け、その上に高誘電率層6及び上部電極層7を設ける。耐シリコン拡散導電層4は小さなその側面のみを覆う側壁絶縁スペーサ8によって高誘電率層6から隔離されている。

請求項（抜粋）：

シリコン基板(1)と、該シリコン基板上に形成されたポリシリコン層(3)と、該ポリシリコン層上に形成された耐シリコン拡散導電層(4)及び該耐シリコン拡散導電層上に形成された耐酸化性導電層(5)よりなる下部電極層と、前記耐酸化性導電層の上面及び側面に形成された高誘電率層(6)と、該高誘電率層上に形成された上部電極層(7)とを具備し、前記耐シリコン拡散導電層が前記高誘電率導電層より隔離されている薄膜キャパシタ。

IPC (7件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C30B 33/08 , H01G 4/33 , H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 27/10 651 , C30B 33/08 , H01G 4/06 102 , H01L 21/90 J , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-069774 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-007199 出願人：三星電子株式会社
マイクロ電子構造体とその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196834 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー

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