特許
J-GLOBAL ID：200903068444214243
半導体素子のタングステン膜製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305308
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133715
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 従来の製造装置を改造せずにそのまま使用しても非抵抗が減少されたタングステン膜を形成する半導体素子のタングステン膜製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板20上に絶縁膜21を形成する段階と、絶縁膜21上に境界金属膜26を形成する段階と、境界金属膜26表面を40Torr以上の圧力雰囲気でSiH4ガスを利用して処理する段階と、処理が行われた境界金属膜表面上に流量比率が[WF6]/[SiH4]≦1であるWF6+SiH4ガスを利用してタングステンシード層を形成させる段階と、WF6ガスを利用してタングステンシード層が形成された境界金属膜26上にタングステン膜28を形成する段階を含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された境界金属膜表面を5.2KPa以上の圧力雰囲気でSiH4ガスを利用して処理する段階と、前記処理が行われた境界金属膜表面上に流量比率が[WF6]/[SiH4]≦1であるWF6+SiH4ガスを利用してタングステンシード層を形成する段階と、前記タングステンシード層が形成された境界金属膜上にWF6ガスを利用してタングステン膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子のタングステン膜製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 M
