半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-230630
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078527
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】接続孔の埋め込み金属膜をエッチバックすることに伴うプラグロスの問題がなく、その上層の配線形成がカバレージ良く実現でき、コンタクトを安定に形成でき、配線の信頼性を向上でき、しかもプロセス的に容易で、EM耐性の良好な半導体装置が得られる技術を提供する。【構成】第1の接続孔内19を第1の金属膜21で埋め込むとともに、該第1の接続孔19の開口周辺部にも該第1の金属膜21を形成した接続構造を有し、あるいは更に、該第1の金属膜21及び第1の接続孔19が形成された絶縁膜18上に第2の金属膜22を形成する。

請求項（抜粋）：