特許

J-GLOBAL ID：200903068473461640

液晶表示装置とその製造方法

発明者： 阿武 恒一 ,  佐藤 努 ,  田中 武 ,  中原 良彦 ,  鈴木 雅彦 ,  肥田 宏之 ,  中谷 光雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319898
公開番号（公開出願番号）：特開平9-160070
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 安価でかつ良好な画像品質が得られる。【解決手段】 透明基板上に形成された複数の走査電極と、前記走査電極と交差するように形成された複数の映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極に接続された補助容量と、少なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜とを備える液晶表示装置において、前記補助容量は、走査電極と、前記走査電極の表面及び側面を被覆するように形成された走査電極の自己酸化膜と、前記走査電極表面上でのみ前記自己酸化膜と接触する上部電極とから構成され、かつ前記薄膜トランジスタを構成する半導体膜とゲート絶縁膜は略同一の平面形状を有する。

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された複数の走査電極及び共通電極と、前記走査電極及び共通電極と交差するように形成された複数の映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極に接続された補助容量と、少なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜とを備える液晶表示装置において、前記補助容量は、共通電極と、共通電極の表面及び側面を被覆するように形成された共通電極の自己酸化膜と、前記共通電極表面上でのみ前記自己酸化膜と接触する上部電極とから構成され、かつ前記薄膜トランジスタを構成する半導体膜とゲート絶縁膜は略同一の平面形状を有することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-231495   出願人：株式会社日立製作所
• 液晶表示装置の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-220380   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003062   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-194823