特許

J-GLOBAL ID：200903068547528602

成膜方法及び成膜装置

発明者： 長谷部 一秀 ,  遠藤 篤史 ,  鈴木 大助 ,  鈴木 啓介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-354233
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123275
出願日： 2003年10月14日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 シームがなく、しかもエッチング耐性を向上できる成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体Wの表面に薄膜を堆積させる成膜方法において、前記被処理体の表面にSiO2 膜を形成するSiO2 膜形成工程と、前記SiO2 膜の膜質を改善するために前記SiO2 膜を酸素活性種と水酸基活性種とを主体とする雰囲気中にてアニール処理する改質工程と、を有する。このように、被処理体の表面に形成されたSiO2 膜を酸素活性種と水酸基活性種とを主体とする雰囲気中でアニール処理することにより改質を行ったので、SiO2 膜中にシームがなく、しかもそのエッチング耐性を向上させることができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に薄膜を堆積させる成膜方法において、 前記被処理体の表面にSiO2 膜を形成するSiO2 膜形成工程と、 前記SiO2 膜の膜質を改善するために前記SiO2 膜を酸素活性種と水酸基活性種とを主体とする雰囲気中にてアニール処理する改質工程と、 を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52

FI (3件)：

H01L21/316 P ,  C23C16/40 ,  C23C16/52

Fターム (11件)：

4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF25 ,  5F058BH03 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁膜の膜質改善方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-247727   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-005546   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 気相成長装置と気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-181083   出願人：株式会社東芝
• 被処理体の酸化方法及び酸化装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-128350   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 絶縁膜の膜質改善方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-247727   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所