特許

J-GLOBAL ID：200903048408739967

絶縁膜の膜質改善方法

発明者： 前田 和夫 ,  鈴木 摂
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247727
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077105
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 N2 (窒素)を用いる熱処理とは異なる新規な絶縁膜の膜質改善方法、及びそれを用いて作成される半導体装置を提供すること【解決手段】 ウエハ101(被形成体)上にSiO2 膜105(絶縁膜)を形成する工程と、前記SiO2 膜105(絶縁膜)を形成後、該SiO2 膜105(絶縁膜)の表面を水蒸気を含む雰囲気に曝して該SiO2 膜105(絶縁膜)を熱処理する工程とを含む絶縁膜の膜質改善方法。

請求項（抜粋）：

被形成体上にSiO2 膜を形成する工程と、前記SiO2 膜を形成後、該SiO2 膜の表面を水蒸気を含む雰囲気中に曝して該SiO2 膜を熱処理する工程とを含む絶縁膜の膜質改善方法。

FI (2件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X

Fターム (9件)：

5F058BA02 ,  5F058BC02 ,  5F058BF02 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の層間絶縁膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-329913   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107527   出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298427   出願人：株式会社日立製作所
• 特表平3-505145
  
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-031160   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-372131