半導体基板への電極形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-202240
公開番号（公開出願番号）：特開2005-044954
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】半導体素子の駆動電圧を効果的に抑制すること。【解決手段】既に研磨加工された導電性の III族窒化物系化合物半導体から成る半導体基板aの被研磨面に負電極(n電極c)を形成する電極形成工程の前に、その被研磨面をドライエッチングする。この半導体基板aは、発光ダイオード10におけるn型コンタクト層の機能を有する。電極形成工程の前に被研磨面をドライエッチングすれば、結晶性が劣化したダメージ層が除去でき、良好なオーミック接触が得られる。これは、ダメージ層が結晶性の劣化などによって、高い抵抗率を有するためだと考えられる。また、上記の手段によれば、研磨加工におけるスラリー、摩擦力、圧力等の大きさを小さく抑制する必要が特には生じないので、半導体基板の研磨時間を短くすることができる。したがって、本発明の方法によれば、半導体素子の生産性を向上させることもできる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

既に研磨加工された導電性の III族窒化物系化合物半導体から成る半導体基板の被研磨面に電極を形成する方法であって、前記被研磨面に電極を形成する電極形成工程の前に、前記被研磨面をドライエッチングするエッチング工程を有することを特徴とする電極形成方法。

IPC (3件)：

H01L33/00 , H01S5/042 , H01S5/323

FI (4件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01S5/042 612 , H01S5/323 610

Fターム (15件)：

5F041AA24 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA99 , 5F073AA61 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA24 , 5F073DA35 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-152821 出願人：三星電機株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-138667 出願人：松下電器産業株式会社
III-N系化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-266480 出願人：シャープ株式会社

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