特許
J-GLOBAL ID：200903068608062482

GaN系半導体発光素子の製造方法及びGaN系半導体発光素子、並びにランプ

発明者：
大澤 弘

大澤 弘 について

, 
程田 高史

程田 高史 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-119208
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294579
出願日： 2006年04月24日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】接合強度が高く接合界面の抵抗成分を充分に低くすることができるGaN系半導体発光素子の製造方法及びGaN系半導体発光素子、並びにランプを提供する。【解決手段】第1の基板上に少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層のGaN系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、前記n型半導体層、発光層、及びp型半導体層を覆う保護膜を形成し、前記p型半導体層上あるいは該p型半導体層上に形成される電極層上に、前記保護膜よりも突き出るようにして第1の接合層を積層することにより、第1の積層体を形成する工程と、導電性を有する第2の基板上に少なくとも導電体からなる第2の接合層を積層することにより、第2の積層体を形成する工程と、前記第1の積層体と第2の積層体とを、前記第1の接合層と第2の接合層とを接合させることにより一体化させる工程と、前記第1の積層体から第1の基板を除去する工程とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaN系半導体からなる各層を備えるGaN系半導体発光素子の製造方法であって、 第1の基板上に少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層のGaN系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、前記n型半導体層、発光層、及びp型半導体層を覆い、且つ、p型半導体層表面の少なくとも一部に開口部を有するように保護膜を形成した後、前記開口部から露出するp型半導体層上あるいは該p型半導体層上に形成される電極層上に、前記保護膜よりも突き出るようにして導電体からなる第1の接合層を積層することにより、第1の積層体を形成する工程と、 導電性を有する第2の基板上に少なくとも導電体からなる第2の接合層を積層することにより、第2の積層体を形成する工程と、 前記第1の積層体と第2の積層体とを、前記第1の接合層と第2の接合層とを接合させることにより一体化させる工程と、 前記第1の積層体から第1の基板を除去する工程と、 を備えていることを特徴とするGaN系半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA25 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (18件)
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