特許
J-GLOBAL ID：200903034272583576
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
豊栖 康弘
, 石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-190549
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266240
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】対向電極構造を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】対向する二つの主面を有し、n型及びp型窒化物半導体層よりも大きな熱膨張係数を有する成長用基板1の一方の主面上に、少なくとも、n型窒化物半導体層2〜5と、活性層6と、p型窒化物半導体層7〜8と、を成長させて接合用積層体を形成する。次に、p型窒化物半導体層8の上に1層以上の金属層から成る第1の接合層9を設ける一方、対向する二つの主面を有し、n型及びp型窒化物半導体層よりも大きく、かつ上記成長用基板と同じか小さい熱膨張係数を有する支持基板10の一方の主面上に1層以上の金属層から成る第2の接合層11を設ける。次に、第1の接合層9と第2の接合層11とを対向させて、接合用積層体と支持基板10とを加熱圧接して接合する。その後、接合用積層体から成長用基板1を除去して、窒化物半導体素子を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
対向する二つの主面を有する基板の一方の主面上に、少なくとも、1層以上のp型窒化物半導体層と、AlaInbGa1-a-bN(0≦a≦1、0≦b≦1、a+b≦1)から成る井戸層とAlcIndGa1-c-dN(0≦c≦1、0≦d≦1、c+d≦1)から成る障壁層とを少なくとも含む量子井戸構造を有する活性層と、1層以上のn型窒化物半導体層と、を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、
対向する二つの主面を有し、前記n型及びp型窒化物半導体層よりも大きな熱膨張係数を有する成長用基板の一方の主面上に、少なくとも、n型窒化物半導体層と、活性層と、p型窒化物半導体層と、を成長させて接合用積層体を形成し、
前記p型窒化物半導体層の上に1層以上の金属層から成る第1の接合層を設ける一方、対向する二つの主面を有し、前記n型及びp型窒化物半導体層よりも大きく、かつ前記成長用基板と同じか小さい熱膨張係数を有する基板の一方の主面上に1層以上の金属層から成る第2の接合層を設け、第1の接合層と第2の接合層とを対向させて、接合用積層体と前記基板とを加熱圧接して接合し、
前記接合用積層体の成長用基板を除去する窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA04
, 5F041AA33
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041EE25
