特許

J-GLOBAL ID：200903068620697736

薄膜形成方法

発明者： 斎藤 國夫 ,  小野 俊郎 ,  天澤 敬生
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-077921
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280384
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 基板表面に基板を構成する材料の化合物を形成することなく、基板とは異なる材料の化合物からなる膜を、基板表面に反応性スパッタ法で形成する。【解決手段】 メタルモードで、シリコン基板101表面を覆う程度にAl-O分子によるメタルモード膜102を形成し、引き続いて、オキサイドモードに切り換えて、メタルモード膜102上にアルミナを堆積してオキサイドモード膜103を形成する。

請求項（抜粋）：

内部にターゲットが固定された密閉可能な容器内に膜形成対象の基体を載置する第1の工程と、前記容器内を真空排気する第2の工程と、前記容器内に不活性ガスと第1の供給量とした反応性ガスとを導入して前記不活性ガスと反応性ガスとのプラズマを生成し、このプラズマにより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こし、前記ターゲットを構成する第1の原子と前記反応性ガスを構成する第2の原子とからなる第1の薄膜を前記基体の主表面に形成する第3の工程と、前記反応性ガスの供給量を第2の供給量として前記不活性ガスと反応性ガスとのプラズマを生成し、前記ターゲット表面に前記第2の原子との化合物を形成させると共に、プラズマにより発生した粒子を前記化合物が形成されたターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こし、前記第1の原子と前記第2の原子との化合物からなる第2の薄膜を前記第1の薄膜上に形成する第4の工程とを備え、前記第2の供給量は、前記不活性ガスと反応性ガスとのプラズマによる前記ターゲット表面におけるスパッタ率が前記反応性ガスの供給量の増加と共に前記ターゲット表面に生成した化合物により低下するときの、スパッタ率の低下率が、減少し始める量以上であり、かつ、前記反応性ガスの供給量に対する前記第1の原子と第2の原子とからなる物質の堆積速度の関係を示す曲線が最小曲率をもたらす反応性ガス流量よりも多い供給流量であり、前記第1の供給量は、0より大きくかつ前記第2の供給量より少ない量であることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (12件)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/851 ,  H01F 41/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H05H 1/46

FI (11件)：

H01L 21/316 Y ,  C23C 14/34 U ,  G11B 5/851 ,  H01F 41/18 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H05H 1/46 C ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (61件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029BD11 ,  4K029CA06 ,  4K029DC48 ,  4K029EA02 ,  5D112FA04 ,  5E049GC02 ,  5F058BA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF13 ,  5F058BF14 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083PR22 ,  5F103AA08 ,  5F103BB60 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL14 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE03 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F140AA02 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD11 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG41 ,  5F140BG44

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ペロブスカイト系酸化膜の形成方法およびペロブスカイト系酸化膜を用いた薄膜トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-160527   出願人：富士通株式会社
• 誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-319606   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-285674   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜の形成方法及び半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-308370   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

• ペロブスカイト系酸化膜の形成方法およびペロブスカイト系酸化膜を用いた薄膜トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-160527   出願人：富士通株式会社
• 誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-319606   出願人：松下電器産業株式会社