デバイス用保護膜及びその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131211
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329720
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】今後ますます高集積化が進む半導体装置や実用段階に進むと考えられる有機EL等のデバイスを確実に保護することのできる保護膜及びその作製方法を提供する。【解決手段】表面からデバイス50にかけて、SiNから成る第一防湿層58、SiOFから成る吸湿層57、及びSiNから成る第二防湿層56を設ける。SiOFのF濃度は4.2〜20%程度とする。その作用は次の通りである。まず第一防湿層58により、外部からデバイス50への水分の侵入を防止する。しかしSiN層は作製後の残留応力が大きいため、マイクロクラック等の発生を完全には防止し得ない。そこで、その下に吸湿層57を設けることにより、デバイス50に侵入しようとする水分を積極的に捕捉する。この吸湿層57として、従来フッ素添加SiO2(SiOF)の欠点とされていた吸湿性を積極的に利用した。こうして捕捉した水分がデバイス50に侵入することをさらに確実に防止するため、第二防湿層56を設けた。

請求項（抜粋）：

表面からデバイスにかけて、SiNから成る第一防湿層、SiOFから成る吸湿層、及びSiNから成る第二防湿層を含むことを特徴とするデバイス用保護膜。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , C23C 16/42 , H01L 21/318 , H05B 33/04 , H05B 33/10

FI (5件)：

H01L 21/316 M , C23C 16/42 , H01L 21/318 M , H05B 33/04 , H05B 33/10

Fターム (28件)：

3K007AA03 , 3K007AB13 , 3K007CA03 , 3K007DA02 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030JA01 , 4K030LA01 , 4K030LA18 , 5F058BA04 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-088880 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-245235 出願人：日本電気株式会社
電気光学装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-100257 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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