特許
J-GLOBAL ID:200903068639721620

多層配線層および金属配線層の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 合田 潔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-090110
公開番号(公開出願番号):特開平10-270446
出願日: 1997年03月24日
公開日(公表日): 1998年10月09日
要約:
【要約】【課題】 電極配線材料として、高熱安定性を有し、耐ストレス・マイグレーション特性が優れ、ヒロックなどの欠陥のない極めて電気抵抗の低い、実質的に単一の組成からなる配線層を提供すること。【解決手段】 基板上に形成され、少なくとも二層からなる多層配線層であって、多層配線層の各層は実質的に同一の成分からなり、かつ、各層の粒径は各層の厚みと略同一である。配線層は実質的にAlを主成分とすることが好ましい。Alに対する添加元素としては希土類元素が望ましく、さらに、そのうちでもYが好適である。添加元素の添加量は3.0原子%以下にすることによって、配線層に要求される十分に低い電気抵抗である3.0〜5.0μΩcmを実現できる。
請求項(抜粋):
基板上に形成された少なくとも二層からなる多層配線層であって、前記多層配線層の各層のうち少なくとも二つの層は実質的に同一の成分からなり、かつ、前記各層の粒径は各層の厚みと略同一であることを特徴とする、多層配線層。
FI (2件):
H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • 特開平4-363024
  • 特開平2-140933
  • 特開平2-113531
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