膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-250362
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060691
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率の温度依存が少なく、クラック耐性や機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物及び絶縁膜形成用材料を得る。【解決手段】下記式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を、(A)含窒素オニウム塩化合物の存在下で、(B)金属キレート触媒及び/又は酸触媒の存在下で加水分解し、縮合した縮合物、(C)有機溶媒を含有する膜形成組成物。RaSi(OR1)4-a ・・・・・(1)Si(OR2)4・・・・・(2)R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・・(3)(式中RはH、F又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7はO、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2、b、cは0〜2の整数、dは0又は1、nは1〜6の整数を示す。)

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を含窒素オニウム塩化合物の存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物、(B)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属キレート触媒および酸触媒もしくはいずれか一方の存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕(C)有機溶剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (5件)：

C09D183/04 , C09D 5/25 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312

FI (5件)：

C09D183/04 , C09D 5/25 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 C

Fターム (47件)：

4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL041 , 4J038DL071 , 4J038DL161 , 4J038GA01 , 4J038HA096 , 4J038HA306 , 4J038HA326 , 4J038HA366 , 4J038HA416 , 4J038HA476 , 4J038JA02 , 4J038JA05 , 4J038JA26 , 4J038JA27 , 4J038JA33 , 4J038JA37 , 4J038JA39 , 4J038JA42 , 4J038JA56 , 4J038JB01 , 4J038JB06 , 4J038JB13 , 4J038JB27 , 4J038JC02 , 4J038JC11 , 4J038JC13 , 4J038JC14 , 4J038JC37 , 4J038JC38 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038MA08 , 4J038MA10 , 4J038MA14 , 4J038NA11 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 5F058AA02 , 5F058AB04 , 5F058AB06 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-053529
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211699 出願人：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
特開平3-054279

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