X線マスク構造体とその製造方法、X線露光方法およびX線露光装置、並びに半導体デバイスとその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-123594
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306820
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】ゴミ付着防止性に優れた、高性能で長寿命なX線マスク構造体を提供し、高精度の半導体デバイスの量産を可能にする。【解決手段】少なくともX線吸収体、該吸収体を支持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠からなるX線マスク構造体において、X線透過性の薄膜を、前記支持膜の両側にそれぞれ設けたことを特徴とするX線マスク構造体。

請求項（抜粋）：

少なくともX線吸収体、該吸収体を支持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠からなるX線マスク構造体において、X線透過性の薄膜を、前記支持膜の両側にそれぞれ設けたことを特徴とするX線マスク構造体。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 503

FI (5件)：

H01L 21/30 531 M , G03F 1/16 A , G03F 7/20 503 , H01L 21/30 531 E , H01L 21/30 531 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-013551
特開昭63-122121
ペリクル
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-282004 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る