特許
J-GLOBAL ID：200903068812299564

無線周波数用集積回路

発明者：
ティン-ワー・ウォン

ティン-ワー・ウォン について

, 
チョン・エル・ウー

チョン・エル・ウー について


出願人/特許権者：
プログラマブル・シリコン・ソリューションズ

プログラマブル・シリコン・ソリューションズ について


代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261799
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152098
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 基板と集積回路との間のカプリングを抑制する。【解決手段】 RF回路310が、2つの逆バイアスされた接合部を作る三重ウェル316,318,320上に形成される。これらの接合部に加わるバイアスを調整することによって、接合部にかかる容量を減少させて、RF回路310から基板316への容量性の結合またはカプリングを減らし、インダクタの自己共振周波数を向上させ、下側の基板から能動回路素子及びコンデンサやインダクタなどの受動素子への不要な信号とノイズのカプリングとを小さくすることができる。結果として、ラジオなどの無線周波数のデバイスと、ブルートゥース規格のトランシーバなどの携帯電話及びトランシーバと、論理デバイスと、フラッシュメモリ素子及びSRAMメモリ素子とを、CMOS製造プロセスを用いて、同じ集積回路のダイの中に全て形成することができる。
請求項（抜粋）：
カスコード回路の共通ゲート形トランジスタを基板内の三重ウェルの上に形成するステップと、該三重ウェルのウェルを、抵抗器を介してバイアスするステップとを含んでなる方法。
IPC (6件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/04 U ,  H01L 27/04 H
Fターム (23件)：
5F038AV04 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH01 ,  5F038BH09 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE05 ,  5F048BE09 ,  5F048CC13
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 特開平3-076264
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-029648   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
  • 集積インダクタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-156353   出願人：プレッシーセミコンダクターズリミテッド
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