特許

J-GLOBAL ID：200903068869794430

半導体装置

発明者： 金子 智 ,  大古田 敏幸 ,  名野 隆夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 須藤 克彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-401191
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197792
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 チャージポンプ装置において、ラッチアップの発生の防止及び大電流化を図るのに適した半導体装置を提供する。【解決手段】 P型単結晶シリコン基板50上にN型のエピタキシャル・シリコン層51を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層51内にP型ウエル領域52を設ける。このP型ウエル領域52の底部に接するP+型埋め込み層55、このP+型埋め込み層55に部分的に重畳して形成され、P型ウエル領域52を単結晶シリコン基板50から電気的に分離するN型埋め込み層56を設ける。そして、P型ウエル領域52内にMOSトランジスタを設ける。

請求項（抜粋）：

第1導電型の単結晶半導体基板と、この単結晶半導体基板上に成長された第2導電型のエピタキシャル半導体層と、このエピタキシャル半導体層内に形成された第1導電型ウエル領域と、前記第1導電型ウエル領域の底部に接する第1導電型の埋め込み層と、この第1導電型の埋め込み層に部分的に重畳して形成され、前記第1導電型ウエル領域を前記単結晶半導体基板から電気的に分離する第2導電型の埋め込み層と、前記第1導電型ウエル領域内に形成されたMOSトランジスタと、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8249 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H03K 19/0185

FI (4件)：

H01L 27/06 321 D ,  H01L 27/04 G ,  H01L 27/04 A ,  H03K 19/00 101 E

Fターム (34件)：

5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038BG03 ,  5F038BG05 ,  5F038CA02 ,  5F038CA09 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA03 ,  5F048AC05 ,  5F048BA01 ,  5F048BA13 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF02 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048CA03 ,  5F048DA24 ,  5J056AA11 ,  5J056AA32 ,  5J056BB13 ,  5J056BB48 ,  5J056CC21 ,  5J056CC30 ,  5J056DD12 ,  5J056DD28 ,  5J056GG06 ,  5J056KK01 ,  5J056KK02

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭58-216455
  
• BiCDMOSプロセスに基づく集積回路形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-293438   出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-307638   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体昇圧回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-104673   出願人：新日本製鐵株式会社
• 昇圧回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-150691   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭58-216455