特許
J-GLOBAL ID:200903068870815580

中央接続区画を有するメモリ構造物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-340062
公開番号(公開出願番号):特開2002-198442
出願日: 2001年11月05日
公開日(公表日): 2002年07月12日
要約:
【要約】【課題】 フレキシブルな構造を有するメモリ区画を提供する。【解決手段】 メモリ構造物は、接続区画(1)と、該接続区画(1)に隣接するセル区画(2〜9)とを有する。接続区画(1)は中央に配置され、接続区画(1)の4個の側辺のそれぞれにセル区画(2〜9)が接し、セル区画(2〜9)は、接続区画(1)の周りに閉じたリング状に配置されている。セル区画(2)は、他の2個のセル区画(3、9)に2個の側辺のそれぞれで隣接し、セル区画(2〜9)は、長手方向に第1および第2のサブセル区画(21、22)に分割されている。
請求項(抜粋):
接続区画(1)と、該接続区画(1)に隣接するセル区画(2〜9)とを有するメモリ構造物であって、該セル区画(2〜9)は、それぞれがアドレス線(12、13)に接続された行および列デコーダ(10、11)を有するマトリクス形状のメモリを含み、該接続区画(1)はセル区画(2〜9)に電気的に接続された接続パッドを含み、該メモリ構造物は、該接続区画(1)が中央に配置され、該接続区画(1)の4個の側辺のそれぞれにセル区画(2〜9)が接し、セル区画(2〜9)は、該接続区画(1)の周りに閉じたリング状に配置され、セル区画(2)は、他の2個のセル区画(3、9)に2個の側辺のそれぞれで隣接し、セル区画(2〜9)は、長手方向に第1および第2のサブセル区画(21、22)に分割され、該第1および第2のサブセル区画(21、22)は、接続区画(1)または他のセル区画(2〜9)に隣接する縦の側辺に沿って行または列デコーダ(10、11)を含み、該行または列デコーダ(10、11)は該縦の側辺に垂直に配置され、該セル区画(2〜9)は、該縦の側辺の中央に、互いに隣接する2個の列または行デコーダ(10、11)を含み、該列または行デコーダ(10、11)は、第1のサブセル区画(21)の中に長手方向に平行に配置されている第1のアドレス線(12、13)に接続され、第2の列または行デコーダ(10、11)は、第2のサブセル区画(22)の中に長手方向に平行に配置されている第2のアドレス線(12、13)に接続されていることを特徴とする、メモリ構造物。
IPC (3件):
H01L 21/8242 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/108
FI (3件):
H01L 27/10 681 E ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 371 K
Fターム (15件):
5F083AD00 ,  5F083GA30 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA21 ,  5F083LA25 ,  5F083LA29 ,  5M024AA62 ,  5M024BB30 ,  5M024BB40 ,  5M024DD62 ,  5M024DD63 ,  5M024LL01 ,  5M024LL15 ,  5M024PP01
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-305830   出願人:三菱電機株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-220304   出願人:株式会社日立製作所
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-365887   出願人:株式会社日立製作所

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