特許

J-GLOBAL ID：200903068893563511

強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ

発明者： 近藤 正雄 ,  丸山 研二 ,  上野 梨紗子 ,  舟窪 浩 ,  内田 寛 ,  幸田 清一郎 ,  中木 寛
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371905
公開番号（公開出願番号）：特開2006-176366
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】 鉛を含まず、かつPZTと同程度の残留分極を示す強誘電体材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地部材の表面上に、BiFeO3の前駆体溶液を塗布する。塗布後に熱処理を行い誘電体膜を得る。誘電体膜を、非酸化性雰囲気中で加熱し、結晶化させる。これにより、Bi、Fe、及びOを構成元素として含み、正方晶系または斜方晶系の結晶格子をもつ強誘電体材料が得られる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Bi、Fe、及びOを構成元素として含み、正方晶系または斜方晶系の結晶格子をもつ強誘電体材料。

IPC (7件)：

C04B 35/00 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788

FI (8件)：

C04B35/00 J ,  H01B3/00 F ,  H01B3/00 H ,  H01B3/12 318Z ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 444A

Fターム (33件)：

4G030AA27 ,  4G030AA43 ,  4G030BA09 ,  4G030BA10 ,  4G030CA08 ,  4G030GA17 ,  4G030GA19 ,  4G030GA27 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083FR07 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F101BA62 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB05 ,  5G303CB13 ,  5G303CB15 ,  5G303CB22 ,  5G303DA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 強誘電体メモリ材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-019129   出願人：セイコーエプソン株式会社