特許
J-GLOBAL ID：200903068911080248

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
柳 義弘

柳 義弘 について

, 
森田 雅史

森田 雅史 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161607
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353204
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 基板表面への反応生成物の堆積を防止し、確実かつ効率にエッチング等の処理を行うことができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内にガスを導入しつつ真空排気して所定の圧力状態に維持し、真空容器1内に配置した第1の電極4上に基板6を載置し、第1の電極4とこの第1の電極4とは別に設けた第2の電極8とに高周波電力を印加して発生させたプラズマにて基板6をプラズマ処理するプラズマ処理方法及び装置において、プラズマ処理時に第1の電極4に高周波電力を投入した後に、第2の電極8に高周波電力を印加するようにした。
請求項（抜粋）：
真空容器内をガスを導入しつつ真空排気して所定の圧力状態に維持し、真空容器内に配置した第1の電極上に基板を載置し、第1の電極とこの第1の電極とは別に設けた第2の電極とに高周波電力を印加して発生させたプラズマにて基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、プラズマ処理時に第1の電極に高周波電力を投入した後に、第2の電極に高周波電力を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (2件)：
H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B
Fターム (8件)：
5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004EB02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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