特許
J-GLOBAL ID：200903068984727983
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264999
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082662
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 薄膜半導体装置に集積形成される薄膜トランジスタの活性層となる半導体薄膜の効率的な結晶化を行なう。【解決手段】 薄膜半導体装置を製造する為、先ず成膜工程を行ない互いに直交する長手方向(X方向)及び幅方向に広がる絶縁基板1の表面に非晶質の半導体薄膜2を形成する。次にアニール工程を行ない外部からエネルギーを加えて半導体薄膜2を非晶質から多結晶に転換する。この後半導体薄膜2を活性層として薄膜トランジスタを集成形成する。アニール工程では絶縁基板1の幅方向に沿って線状に形成された比較的低エネルギーの紫外線23を絶縁基板1の裏面側から照射する一方、同じく絶縁基板1の幅方向に沿って線状に整形された比較的高エネルギーのレーザビーム4を絶縁基板1の表面側から紫外線23の照射領域と略整合する様に照射する。この時、照射領域に対して相対的に絶縁基板1をX方向に移動する。
請求項（抜粋）：
互いに直交する長手方向及び幅方向に広がる絶縁基板の表面に非晶質の半導体薄膜を形成する成膜工程と、外部からエネルギーを加えて該半導体薄膜を非晶質から多結晶に転換するアニール工程と、該半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを集成形成する加工工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法であって、前記アニール工程は、該絶縁基板の幅方向に沿って線状に形成された比較的低エネルギーの紫外線を該絶縁基板の裏面側から照射する一方、同じく該絶縁基板の幅方向に沿って線状に整形された比較的高エネルギーのレーザビームを該絶縁基板の表面側から該紫外線の照射領域と略整合する様に照射し、且つ該照射領域に対して相対的に該絶縁基板を長手方向に移動する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 21/26
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01S 3/00
, G02F 1/136 500
H01L 21/268 Z
, H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01S 3/00 A
, G02F 1/136 500
, H01L 21/26 L
, H01L 29/78 627 G
