特許
J-GLOBAL ID:200903069032777380
固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-332078
公開番号(公開出願番号):特開2006-245535
出願日: 2005年11月16日
公開日(公表日): 2006年09月14日
要約:
【課題】不具合を発生することなく入射光の波長変換を行うことにより、可視光の短波長領域の感度が高い固体撮像素子を提供する。【解決手段】シリコン層1に、フォトダイオードから成る光電変換部2が形成されて、画素が構成され、複数の画素が配置されて撮像領域が構成された固体撮像素子であって、少なくとも一部の画素において、光電変換部2の表面付近に、波長変換層3が形成され、この波長変換層3が、歪みシリコン又はナノスケールのシリコン粒子から成る固体撮像素子を構成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
シリコン層に、フォトダイオードから成る光電変換部が形成されて、画素が構成され、
複数の前記画素が配置されて撮像領域が構成された固体撮像素子であって、
少なくとも一部の前記画素において、前記光電変換部の表面付近に、波長変換層が形成され、
前記波長変換層が、歪みシリコン又はナノスケールのシリコン粒子から成る
ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (4件):
H01L 27/146
, H01L 27/14
, H01L 31/10
, H04N 5/335
FI (4件):
H01L27/14 A
, H01L27/14 D
, H01L31/10 D
, H04N5/335 U
Fターム (28件):
4M118AB01
, 4M118BA09
, 4M118BA13
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118CA27
, 4M118CA34
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA26
, 4M118FA35
, 4M118GA02
, 4M118GB03
, 4M118GB08
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5F049MB02
, 5F049NA01
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049PA10
, 5F049PA11
, 5F049QA20
, 5F049WA03
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
特開平4-326763号公報
-
特開平4-322467号公報
-
固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-306578
出願人:日本電気株式会社
審査官引用 (2件)
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