光変換のための希土類ドープされた層または基板

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-555243
公開番号（公開出願番号）：特表2009-527125
出願日： 2007年01月22日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

半導体材料の活性領域と、該活性領域の対向する側にある、1対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層とを有する発光体構造を備えた固体発光デバイスを提供する。活性領域は、ドープされた層の両端に印加された電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する。発光体構造と集積化され、少なくとも1つの希土類または遷移金属元素がドープされた、半導体材料の吸収層が含まれている。吸収層は、活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも1つの異なる波長の光を再放出する。基板が含まれ、その上に発光体構造と吸収層とが配置されている。

請求項（抜粋）：

固体光発光デバイスであって、半導体材料の活性領域と、前記活性領域の対向する側にある、1対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層であって、前記活性領域が、前記ドープされた層の両端に印加される電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する前記ドープされた層と、を備えた発光体構造と、前記発光体構造に集積され、少なくとも1つの希土類または遷移金属元素をドープした、半導体材料の吸収層であって、前記活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも1つの異なる波長の光を再放出する吸収層とを備えたことを特徴とする発光デバイス。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01S 5/343 , H01S 5/183

FI (4件)：

H01L33/00 F , H01L33/00 C , H01S5/343 610 , H01S5/183

Fターム (22件)：

5F041AA12 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA50 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA92 , 5F041CB15 , 5F041CB28 , 5F041CB36 , 5F173AD06 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AJ04 , 5F173AJ13 , 5F173AJ35 , 5F173AP05 , 5F173AR07

引用特許：

出願人引用 (12件)

ハイデン(Hayden)による米国特許第5959316号明細書、発明の名称「蛍光剤-LEDデバイスの多重封止(Multiple Encapsulation of Phosphor-LED Devices.)」
米国特許第5,523,589号明細書
米国特許第5,739,554号明細書

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審査官引用 (6件)

半導体発光素子及びエピタキシャルウェハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-029300 出願人：日立電線株式会社
多色光の発光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-067198 出願人：日本碍子株式会社
III族窒化物系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-001142 出願人：豊田合成株式会社

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