特許
J-GLOBAL ID：200903069036063454

光変換のための希土類ドープされた層または基板

発明者：
スティーブン ピー.デンバース

スティーブン ピー.デンバース について

, 
エリック ジェイ.ターサ

エリック ジェイ.ターサ について

, 
マイケル マック

マイケル マック について

, 
ベルント ケラー

ベルント ケラー について

, 
ブライアン ティボー

ブライアン ティボー について

, 
アダム ダブリュ.サクスラー

アダム ダブリュ.サクスラー について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-555243
公開番号（公開出願番号）：特表2009-527125
出願日： 2007年01月22日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
半導体材料の活性領域と、該活性領域の対向する側にある、1対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層とを有する発光体構造を備えた固体発光デバイスを提供する。活性領域は、ドープされた層の両端に印加された電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する。発光体構造と集積化され、少なくとも1つの希土類または遷移金属元素がドープされた、半導体材料の吸収層が含まれている。吸収層は、活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも1つの異なる波長の光を再放出する。基板が含まれ、その上に発光体構造と吸収層とが配置されている。
請求項（抜粋）：
固体光発光デバイスであって、 半導体材料の活性領域と、 前記活性領域の対向する側にある、1対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層であって、前記活性領域が、前記ドープされた層の両端に印加される電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する前記ドープされた層と、 を備えた発光体構造と、 前記発光体構造に集積され、少なくとも1つの希土類または遷移金属元素をドープした、半導体材料の吸収層であって、前記活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも1つの異なる波長の光を再放出する吸収層と を備えたことを特徴とする発光デバイス。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/183
FI (4件)：
H01L33/00 F ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01S5/183
Fターム (22件)：
5F041AA12 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041CB28 ,  5F041CB36 ,  5F173AD06 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ35 ,  5F173AP05 ,  5F173AR07
引用特許：
出願人引用 (18件)
  • ハイデン(Hayden)による米国特許第5959316号明細書、発明の名称「蛍光剤-LEDデバイスの多重封止(Multiple Encapsulation of Phosphor-LED Devices.)」
  • 米国特許第5,523,589号明細書
  • 米国特許第5,739,554号明細書
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM