特許
J-GLOBAL ID：200903069042209347
半導体レーザ素子及びその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-104686
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299763
出願日： 2001年04月03日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 θparaが大きく、しかも高出力域まで光出力-注入電流特性が良好な、つまり高いキンクレベルを有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子は、p-クラッド層24の上部及びp-コンタクト層26がストライプ状リッジ28に形成され、リッジ両側面及びリッジ脇のクラッド層上に電流狭窄層として形成された絶縁膜42と、絶縁膜の窓を介してリッジ上面に電気的に接続され、かつリッジ両側面及びリッジ脇のクラッド層上に延在するp側電極32とを有するリッジ導波路型半導体レーザ素子である。絶縁膜として、吸収係数が2000cm-1以上のSOG(Spin On Glass )膜が成膜されている。
請求項（抜粋）：
少なくとも上部クラッド層の上部がストライプ状リッジに形成され、リッジ両側面及びリッジ脇の上部クラッド層上に電流狭窄層として形成された絶縁膜と、絶縁膜の窓を介してリッジ上面に電気的に接続された電極膜とを有するリッジ導波路型半導体レーザ素子において、絶縁膜として、SOG(Spin On Glass )膜が成膜されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (4件)：
H01S 5/22
, H01L 21/314
, H01L 21/316
, H01L 21/318
H01S 5/22
, H01L 21/314 A
, H01L 21/316 G
, H01L 21/318 B
5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BC04
, 5F058BC08
, 5F058BF46
, 5F058BJ01
, 5F058BJ07
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073BA04
, 5F073CB05
, 5F073DA24
, 5F073EA16
, 5F073EA19
