特許
J-GLOBAL ID：200903081578521572
リッジ導波路型半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139969
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340558
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、リッジ導波路型半導体レーザにおいて、イオン注入、不純物拡散等の複雑な加工を行わずに、リッジストライプ脇に流れる拡散を低減し、電流を狭窄することにより、低しきい値電流化、高発光効率化を可能にしたリッジ導波路型半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 リッジストライプに加工された上側クラッド層の下部に歪半導体層を設ける、あるいは熱膨張係数差を利用して、絶縁膜に歪を持たせる等の手法により、前記上側クラッド層下の半導体層に歪分布を持たせ、相対的にバンドギャップを低減することにより、リッジストライプ両脇に流れる無効キャリアの低減を実現する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下側クラッド層、リッジストライプに加工された上側クラッド層、及びこれらクラッド層の間に活性層を含む半導体層を有するリッジ導波路型半導体レーザであって、前記活性層を含む半導体層中で前記上側クラッド層の下部とその両脇の部分で歪分布が異なり、上側クラッド層下部の歪が、その両脇の部分と比べ、相対的に引張歪性になっていることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ。
引用特許：
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