特許
J-GLOBAL ID：200903095065392271

半導体レーザおよびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

発明者：
浅野 竹春

浅野 竹春 について

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池田 昌夫

池田 昌夫 について

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東條 剛

東條 剛 について

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冨谷 茂隆

冨谷 茂隆 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307193
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 安定に横モードを制御して高出力時の高次モード発振を抑制することができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分をAlx Ga1-xAs(0≦x≦1)、(Alx Ga1-x )y In1-y P(0≦x≦1、0≦y≦1)またはZnx Mg1-x Sy Se1-y (0≦x≦1、0≦y≦1)からなる埋め込み半導体層により埋め込む。
請求項（抜粋）：
リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、上記リッジ形状のストライプの両側の部分が、Alx Ga1-x As(0≦x≦1)からなる埋め込み半導体層により埋め込まれていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/227 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 3/18 665 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 B
Fターム (13件)：
5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CB02 ,  5F041CB11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB11 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (7件)
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