特許
J-GLOBAL ID:200903069048461692
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 稔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-364397
公開番号(公開出願番号):特開2000-188358
出願日: 1998年12月22日
公開日(公表日): 2000年07月04日
要約:
【要約】【課題】 基板と樹脂パッケージとの間の接着性を向上させ、半導体装置の小型化に対応できるようにする。【解決手段】 絶縁基材1aの表面に陰極2Aおよび陽極2Bがそれぞれ形成された基板1の上面側に、陰極2Aおよび陽極2Bの双方に電気的に導通するようにして半導体チップ3が実装され、この半導体チップ3を封止するようにして樹脂パッケージ5が形成された半導体装置において、絶縁基材1aに、その厚み方向に貫通するスルーホール13を形成し、樹脂パッケージ5に、スルーホール13内に充填されたアンカー部51を一体形成する。
請求項(抜粋):
絶縁基材の表面に入力端子および出力端子がそれぞれ形成された基板の上面側に、上記入力端子および出力端子の双方に電気的に導通するようにして半導体チップが実装され、この半導体チップを封止するようにして樹脂パッケージが形成された半導体装置であって、上記絶縁基材には、その厚み方向に貫通するスルーホールが形成されており、上記樹脂パッケージには、上記スルーホール内に充填されたアンカー部が一体形成されていることを特徴とする、半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/12 L
, H01L 33/00 M
Fターム (10件):
5F041AA25
, 5F041AA47
, 5F041DA02
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA13
, 5F041DA20
, 5F041DA44
, 5F041DB04
, 5F041FF11
引用特許:
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