特許
J-GLOBAL ID：200903069060377966
N2Oガスを用いた薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275613
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135207
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、ゲート絶縁膜又はキャパシタの誘電膜として使われる薄膜の絶縁及び誘電の特性を高める薄膜形成方法を提供することにある。【解決手段】 ゲート絶縁膜に使用するための薄膜形成工程は、半導体基板上に熱工程による窒化膜層を形成し、その窒化膜層をN2O ガスを用いたアニール工程で酸化させる。誘電膜は、ストレージノード電極層を形成したのち、その電極層上に熱窒化膜を形成し、その熱窒化膜上にTa2O5層を形成して、それを1Torr〜100Torrの圧力でN2O ガスを用いてアニーリングする。
請求項（抜粋）：
熱工程による窒化膜層を形成し、その窒化膜層をN2O ガスを用いたアニール工程で酸化させる工程により半導体とその上側の電極層とを絶縁するための絶縁層を形成することを特徴とするN2O ガスを用いた薄膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/318
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/78
H01L 21/318 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 301 G
