特許
J-GLOBAL ID：200903069131104745

量子ドット半導体装置

発明者：
奥村 滋一

奥村 滋一 について

, 
山本 剛之

山本 剛之 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137515
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311463
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】 量子ドット半導体装置に関し、自己形成型量子ドットのサイズ及び形状を均一にする。【解決手段】 半導体基板1上に複数の2元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層4を設けるとともに、短周期超格子構造層4上に自己形成型量子ドット5を設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の2元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層を設けるとともに、前記短周期超格子構造層上に自己形成型量子ドットを設けたことを特徴とする量子ドット半導体装置。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343
Fターム (15件)：
5F173AA08 ,  5F173AA26 ,  5F173AA48 ,  5F173AF09 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AG21 ,  5F173AH02 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AR23 ,  5F173AR36 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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