特許
J-GLOBAL ID：200903069143678941

半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子とそれを備えたランプ

発明者：
塙 健三

塙 健三 について

, 
横山 泰典

横山 泰典 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-110830
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287786
出願日： 2006年04月13日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】本発明は、光の取り出し性が良好で明るく、ボンディング時の電極剥がれを無くすることができる半導体発光素子の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基板11上にn型半導体層13、発光層14およびp型半導体層15が積層され、p型半導体層15上に透光性正極16が積層されるとともに、該透光性正極16に正極ボンディングパッド17が設けられ、前記n型半導体層13上に負極ボンディングパッド18が設けられた半導体発光素子1を製造することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、n型半導体層、発光層およびp型半導体層が積層され、p型半導体層上に透光性正極が積層されるとともに、該透光性正極に正極ボンディングパッドが設けられ、前記n型半導体層上に負極ボンディングパッドが設けられた半導体発光素子を製造する方法であって、 前記p型半導体層上に透光性酸化物導電材料の透光性正極を化学量論組成よりも酸素不足した状態で形成した後、酸素含有雰囲気中においてアニール処理し、その後、無酸素雰囲気において再アニール処理することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (5件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 B ,  H01L21/28 301B
Fターム (34件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA17 ,  5F041DA26 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 化合物半導体発光素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-064025   出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレーテッド
  • 電極形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-288974   出願人：豊田合成株式会社
  • 窒化ガリウム系発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-135162   出願人：ナイトライド・セミコンダクター株式会社

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