特許
J-GLOBAL ID：200903018917397505

窒化ガリウム系発光装置

発明者：
佐藤 壽朗

佐藤 壽朗 について

, 
和田 直樹

和田 直樹 について

, 
酒井 士郎

酒井 士郎 について


出願人/特許権者：
ナイトライド・セミコンダクター株式会社

ナイトライド・セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-135162
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317823
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】窒化ガリウム系発光装置において、発光スペクトルの狭帯化をはかる。【解決手段】窒化ガリウム系発光装置は、サファイア基板10上に低温バッファ層12、高温バッファ層(GaN系層)14を下地層として形成し、その上にn型コンタクト層16、n型クラッド層18、発光層20、p型クラッド層22及びp型コンタクト層24を積層して構成される。n型コンタクト層16をInGaNとし、そのバンドギャップエネルギを発光層20のバンドギャップよりも十分小さくし、かつ、その膜厚も200nm以上とすることで発光層20から下方に射出される光を吸収し、発光スペクトルの半値幅を狭くする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成された第1導電型コンタクト層と、 前記第1導電型コンタクト層上に形成された第1導電型クラッド層と、 前記第1導電型クラッド層上に形成された窒化ガリウム系発光層と、 前記窒化ガリウム系発光層上に形成された第2導電型クラッド層と、 前記第2導電型クラッド層上に形成された第2導電型コンタクト層と、 を有する窒化ガリウム系発光装置であって、 前記第1導電型コンタクト層のバンドギャップエネルギは、前記窒化ガリウム系発光層のバンドギャップエネルギよりも60meV以上小さく、かつ、その膜厚は200nm以上である ことを特徴とする窒化ガリウム系発光装置。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA99 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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