特許
J-GLOBAL ID：200903099329602577
化合物半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
萼 経夫
, 宮崎 嘉夫
, 舘石 光雄
, 小野塚 薫
, ▲高▼ 昌宏
, 中村 壽夫
, 加藤 勉
, 村越 祐輔
, 小宮 知明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-064025
公開番号（公開出願番号）：特開2004-274061
出願日： 2004年03月08日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】低温下で、アクセプタの水素との複合体の形成を防止する。【解決手段】III-V族化合物半導体発光素子の製造方法において、MOVEP成長法を利用して化合物半導体を製造するとき、O2濃度が高くなるほど、p型GaNのようにp型にドーピングされた半導体層の活性化がさらによくなるという点に基づいて、p型半導体層の活性化を酸素プラズマ雰囲気下で行うことにより、アクセプタから離れた水素原子が酸素と結合してH2Oとして排出される。従来技術と比べ低温度で熱処理が可能であり、素子の寿命や発光效率などを増大させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
異種基板上部に、n型半導体層と、活性化層と、p型半導体層とを順次に形成する段階と、
前記p型半導体層からn型半導体層の一部まで、基板に対して垂直方向にメサ蝕刻して、n型半導体層の少なくとも一部を露出する段階と、
前記p型半導体層上面に電流拡散用透明電極を形成し、酸素プラズマ条件でp型半導体層を活性化する段階と、
前記露出したn型半導体層と電流拡散用透明電極上部に、それぞれn型パッド電極とp型パッド電極とを形成する段階とからなる化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA61
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA88
, 5F041CB11
