基板表面処理方法及び基板表面処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中本菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320646
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134464
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】レジストパターンを崩さず、かつウォーターマークの発生を抑制して品質及び歩留まりの向上を図れるようにすること。【解決手段】レジストパターンが形成されたウエハWに薬液であるDHFを供給してウエハW表面の酸化膜をエッチングにより除去し、ウエハWにリンス液を供給してウエハW表面を洗浄し、その後、ウエハWに所定濃度のオゾン水を供給してウエハWの表面を親水性にすべく酸化膜を形成する。そして、ウエハWにN2ガス(乾燥気体)を供給してウエハW表面に付着する水分を除去する。これにより、ウエハWに形成されたレジストパターンを崩さず、かつウォーターマークの発生を抑制して品質及び歩留まりの向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

レジストパターンが形成された被処理基板に薬液を供給して被処理基板表面の酸化膜を除去するエッチング工程と、上記被処理基板にリンス液を供給して被処理基板表面を洗浄するリンス工程と、上記被処理基板に所定濃度のオゾン水を供給して被処理基板の表面を親水性にすべく酸化膜を形成する工程と、上記被処理基板に乾燥気体を供給して被処理基板表面に付着する水分を除去する乾燥工程と、を有することを特徴とする基板表面処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 647 , H01L 21/304 648 , H01L 21/304 651 , H01L 21/304

FI (6件)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/304 648 H , H01L 21/304 651 B , H01L 21/304 651 L , H01L 21/306 D , H01L 21/306 J

Fターム (9件)：

5F043AA31 , 5F043BB02 , 5F043CC14 , 5F043DD30 , 5F043EE02 , 5F043EE03 , 5F043EE28 , 5F043EE36 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-211237 出願人：カシオ計算機株式会社
シリコンウエーハ表面の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-090598 出願人：信越半導体株式会社
特開昭62-198127

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