半導体洗浄処理方法、半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078455
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267281
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】不良の原因となるシミをなくすることができるように改良された半導体洗浄処理方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】半導体ウェハ1上の被エッチング膜2を、レジストパターン3をマスクに用いて薬液によりエッチングした後の洗浄処理方法に係るものである。上記エッチング後、上記半導体ウェハ1を酸化性の液を用いてリンスすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上の被エッチング膜を、レジストパターンをマスクに用いて薬液によりエッチングした後の洗浄処理方法において、前記エッチング後、前記半導体ウェハを酸化性の液を用いてリンスすることを特徴とする、半導体洗浄処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 647 , C11D 7/18 , C11D 7/60 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/304 647 Z , C11D 7/18 , C11D 7/60 , H01L 21/306 A

Fターム (10件)：

4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003EA20 , 4H003EA31 , 4H003FA21 , 5F043AA29 , 5F043BB27 , 5F043CC16 , 5F043DD12 , 5F043DD30

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-238818
有機物の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-207918 出願人：クロリンエンジニアズ株式会社
特開平1-132126

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