特許
J-GLOBAL ID：200903069237179124
半導体素子の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316343
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162180
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 N2OおよびNOガスを使用して熱酸化する装置では、NOおよびNO2ガスが大気中に漏洩する。【解決手段】 熱酸化処理装置1内の反応室内で発生するNOおよびNO2を、熱酸化処理処理装置1に連結された排ガス濃度低減装置10内でNOおよびNO2を分解し、NOおよびNO2の濃度を下げて排気管13を通して共通排気ダクト15から大気へ放出する。【効果】 有害なガスであるNOおよびNO2の大気への放出を防ぐことができ,安全かつ環境を汚染することなく熱酸化を行える。
請求項（抜粋）：
N2OおよびNOガスを使用して半導体基体表面を熱酸化する装置と、前記装置から排気されたNOおよびNO2ガスの濃度を低減する手段とを有することを特徴とする半導体素子の製造装置。
引用特許：
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