半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169162
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005578
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】高耐圧かつ低損失のSiC半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、基板1と、基板1の上に設けられた第1SiC層2と、第1SiC層2の上に設けられた第2SiC層12とを有している。そして、第1SiC層2にはn型のドリフト領域14とp型のウェル領域3とが設けられ、第2SiC層12の中央部にはn型の蓄積型チャネル層6が、第2SiC層12の両端部にはn型のコンタクト層4が設けられている。蓄積型チャネル層6の上には、ゲート絶縁膜5を挟んでゲート電極8が設けられている。コンタクト層4はソース電極9に接し、基板1はドレイン電極10に接している。ドリフト領域14の一部には、n型ドリフト層14のうちの他の領域よりもn型不純物の濃度の高い電流誘導層7が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素層と、上記炭化珪素層の一部に設けられ、第1導電型の不純物を含む第1の不純物ドープ層と、上記炭化珪素層の一部に設けられ、第2導電型の不純物を含む第2の不純物ドープ層と、上記第1の不純物ドープ層および上記第2の不純物ドープ層の上方に設けられ、上記第1の不純物ドープ層よりも高い濃度の第1導電型の不純物を含む第3の不純物ドープ層と、上記第3の不純物ドープ層の側面に接して設けられ、上記第3の不純物ドープ層よりも高い濃度の第1導電型の不純物を含む第4の不純物ドープ層と、上記第3の不純物ドープ層の上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、上記第4の不純物ドープ層と接して設けられた第1のオーミック電極と、上記炭化珪素層の下方に設けられた第2のオーミック電極とを備え、上記第1の不純物ドープ層の一部には、上記第1の不純物ドープ層よりも高い濃度の第1導電型の不純物を含む第5の不純物ドープ層が設けられている半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/336

FI (8件)：

H01L29/78 652J , H01L29/78 652E , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/78 658A , H01L29/78 658F , H01L21/265 F , H01L21/265 M

引用特許：

審査官引用 (8件)

炭化珪素半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-069185 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-040261 出願人：株式会社東芝
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-140561 出願人：富士電機株式会社

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