特許
J-GLOBAL ID:200903069239783380
熱処理装置および熱処理方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-022260
公開番号(公開出願番号):特開2002-231707
出願日: 2001年01月30日
公開日(公表日): 2002年08月16日
要約:
【要約】【課題】 ホットプレートに載置された基板に均一にガスを供給することにより、基板の熱処理を基板全体で均一に行うことを可能とする熱処理装置と熱処理方法を提供する。【解決手段】 熱処理装置の一実施形態であるベーク処理ユニット(DLB)22aは、基板たるウエハWを載置するホットプレート62と、ケーシング61と、ガス供給管67と、複数箇所に吹き出し口35aが形成され、ウエハWを囲繞するように配置されたバッフルリング35と、回転モータ38とを具備する。回転モータ38を駆動させてバッフルリング35を回転または反転回動させ、吹き出し口35aの位置を移動させながら、ガス供給管67から供給される不活性ガスをウエハWに供給する。
請求項(抜粋):
基板に所定の熱処理を施す熱処理装置であって、基板を載置するホットプレートと、前記ホットプレートおよび前記ホットプレートに載置された基板を収納するチャンバと、前記チャンバ内に所定のガスを供給するガス供給機構と、前記ホットプレートに載置された基板を囲繞するように前記チャンバ内に配置され、前記ガス供給機構から供給されるガスの吹き出し口が複数箇所に形成されたバッフル部材と、前記バッフル部材を回転させ、または所定角度の反転回動運動をさせる回転駆動機構と、を具備することを特徴とする熱処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/31
, H01L 21/027
, H01L 21/316
FI (3件):
H01L 21/31 A
, H01L 21/316 G
, H01L 21/30 567
Fターム (24件):
5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AC17
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AF08
, 5F045AF10
, 5F045BB02
, 5F045CB05
, 5F045DC63
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EE14
, 5F045EK07
, 5F045EM10
, 5F046KA04
, 5F046KA10
, 5F058BA20
, 5F058BC05
, 5F058BF46
, 5F058BG03
, 5F058BH04
, 5F058BJ02
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-337888
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
-
化学気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-060513
出願人:富士通株式会社
-
反応器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-347343
出願人:エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
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