特許
J-GLOBAL ID：200903069252460581

窒化物系半導体デバイス

発明者：
幡谷 耕二

幡谷 耕二 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-078409
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261474
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 動作特性の温度依存性が小さく、窒化物系半導体デバイスの高温動作が可能であるという特徴を生かすことのできる窒化物系半導体デバイスを実現する。【解決手段】少なくとも一組の窒化物系半導体層のヘテロ接合5と少なくとも2つの電極Eからなり、前記一組の半導体層を構成する一の半導体層中に発生する2次元電子ガス層6を走行するキャリアが前記2つの電極の間を流れる電流となる窒化物系半導体デバイスにおいて、前記電極のコンタクト抵抗の温度依存性が負であることを特徴とする窒化物系半導体デバイス。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一組の窒化物系半導体層のヘテロ接合と少なくとも2つの電極からなり、前記一組の半導体層を構成する一の半導体層中に発生する2次元電子ガス層を走行するキャリアが前記2つの電極の間を流れる電流となる窒化物系半導体デバイスにおいて、前記電極のコンタクト抵抗の温度依存性が負であることを特徴とする窒化物系半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (3件)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 F
Fターム (24件)：
4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG11 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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