半導体積層構造および半導体光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-271329
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106711
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】歪みを導入した比較的に厚膜な積層構造及びその積層構造を利用した半導体光素子である。【構成】積層方向に一定の格子定数を有す第1の半導体層1と、積層方向に格子定数の分布を有する第2の半導体層2とが積層される半導体積層構造である。第2の半導体層2では、第1の半導体層1との格子定数の差に応じて面内応力による歪みをうける。第2の半導体層2の歪みは、第2の半導体層2全域にわたって結晶欠陥を引き起こさないような分布を有している。この半導体積層構造は半導体光素子の光閉じ込め層に利用される。

請求項（抜粋）：

積層方向に一定の格子定数を有す第1の半導体層と、積層方向に格子定数の分布を有する第2の半導体層とが積層される半導体積層構造において、第2の半導体層では、第1の半導体層との格子定数の差に応じて面内応力による歪みをうけ、第2の半導体層の歪みが、第2の半導体層全域にわたって結晶欠陥を引き起こさないような分布を有していることを特徴とする半導体積層構造。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , G02F 1/35 503

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-061772 出願人：株式会社日立製作所
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-136359 出願人：日本電気株式会社
ヘテロ構造半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-334514 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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