特許
J-GLOBAL ID:200903069286311690
シリコン窒化膜の成膜方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅井 章弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-045508
公開番号(公開出願番号):特開2005-012168
出願日: 2004年02月20日
公開日(公表日): 2005年01月13日
要約:
【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜として十分機能することができる成膜方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器内に所定の処理ガスを供給して被処理体の表面にシリコン窒化膜を成膜する方法において、前記処理ガスとしてアンモニアガスと、シラン系ガスと、炭化水素ガスとを用い、前記シラン系ガス(HCD)を間欠的に供給するようにしてシリコン窒化膜を成膜する。【効果】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
真空引き可能になされた処理容器内に所定の処理ガスを供給して被処理体の表面にシリコン窒化膜を成膜する方法において、
前記処理ガスとしてアンモニアガスと、シラン系ガスと、炭化水素ガスとを用い、前記シラン系ガスを間欠的に供給するようにしたことを特徴とするシリコン窒化膜の成膜方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BF02
, 5F058BF23
, 5F058BF26
, 5F058BF30
, 5F058BF80
, 5F058BJ01
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
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特開平1-195277
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特開平1-195277
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特開平2-093071
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特開平2-093071
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成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-084052
出願人:東京エレクトロン株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-359463
出願人:株式会社東芝
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-106689
出願人:キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
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特開平4-042931
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特開平4-042931
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特許第3915697号
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特許第3915697号
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